库尔斯拉姆8T

库尔斯拉姆8T嵌入式内存IP是ASIC的理想解决方案,具有严格功率的ASSP和系统芯片(SOC)应用,速度或面积要求。

嵌入式CoolsRAM-8T旨在在任何给定实例大小下提供最佳性能和电源特性。CoolsRAM-8T IP基于经验证的生产,Foundry提供8T SRAM电池,并提供全球泄漏控制功能,接近零的设置时间和可选的列和行冗余。

采用专利电路技术,最大限度地减少了内存内核和外围电路中的漏电流和有功功率。这是由可选的电源管理模式补充的,这些模式可以应用到整个内存核心,也可以限制到特定的内存块。

像所有嵌入式CoolMemory IP一样,COOLSRAM-8T可以通过memquest™内存编译器定制,基于Web的在线工具套件,使SOC设计者能够在几分钟内指定和实现自定义内存。

特点和好处

  • 通过memquest内存编译器和特征化工具构建的客户
  • 基于铸造厂提供的8T SRAM电池
  • 可靠的,经硅验证的体系结构
  • 双端口体系结构
  • 可靠的操作和性能远远超出正常工艺/电压/温度变化范围
  • 支持大型实例
  • 可选电源,速度,和面积
  • 可选字宽,深宽比
  • 针对高性能和低功耗设计进行了优化
  • 在主要铸造厂的前沿工艺节点中提供
  • 适用于需要超低功耗、高密度和高速应用的便携式应用,可从高级电源管理功能中获益。
  • 最多降低2倍有功功率
  • 使用LPM(漏电管理)可降低高达10倍的漏电电流
  • 速度通常比竞争解决方案快20%
  • 密度通常比竞争解决方案高15%
  • 适用于低压运行
  • 降低整体包装和系统成本
  • 由于可实现的密度更高,最终产品成本更低
  • 硅和生产验证提供可制造性保证
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