库洛姆

基于CoolMemory编译器的高级嵌入式内存系列包括低功耗,高速,高密度可配置库洛姆针对最苛刻的应用程序。

CoolROM嵌入式存储器IP是业界密度最高的单层金属可编程只读存储器,宏观尺寸与扩散ROM技术相当。这是通过专有的比特电池设计实现的,与传统设计相比,每个电池需要更少的晶体管触点。宏尺寸显著减小,电容减小,可显著降低动态功耗。

CoolROM是专为低泄漏应用而设计的。整个ROM核心阵列在不使用时自动保持无电压偏差,导致零ROM芯泄漏。外围电路利用正通道长度偏差进一步减少泄漏。

像所有嵌入式CoolMemory IP一样,可通过MemQuest™内存编译器定制CoolROM,基于Web的在线工具套件,使SOC设计者能够在几分钟内指定和实现自定义内存。

特点和好处

  • 通过memquest内存编译器和特征化工具构建的客户
  • 基于正在申请专利的高密度,低功耗电池和系统电路
  • 可靠的,经硅验证的体系结构
  • 单层金属1可编程
  • 最多使用金属4
  • 可选电源,速度,和面积
  • 可选字宽,深宽比
  • 综合漏电管理
  • 长通道长度
  • 自动备用
  • 全局睡眠模式
  • 实例大小高达1MB
  • 行业最低有功功率5倍以上
  • 在主要铸造厂的前沿工艺节点中提供
  • 适用于需要超低功率、高密度和高速应用的应用,可从高级电源管理功能中获益。
  • 硅和生产验证提供可制造性保证
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