基于模型的先进工艺节点掩模工艺修正与验证
白皮书
将193nm波长的光刻技术扩展到32nm节点及以上，推动了先进的分辨率增强技术，从而对晶圆光刻和蚀刻以及掩模制造提出了更严格的公差要求。光掩模中存在的残余误差以及在晶圆光刻工艺模型中捕捉这些误差的局限性已经触发了单独描述和校正掩模制造效果的开发工作。长距离效应-均匀性和模式加载驱动-和短距离效应-接近性和线性-有助于观察到的特征。短程误差的主要来源是蚀刻过程，因此在过去使用可变蚀刻偏压模型对其进行了捕获[1]。本文将讨论提高精度的方法的局限性和可能的扩展。将mask process correction插入后期tapeout流中，对运行时和数据完整性提出了严格的要求。本文介绍了一种全面的掩模工艺校正方法，包括校准和模型建立。模型验证，掩模数据校正和掩模数据验证。Experimental data on runtime performance is presented.Flow scenarios as well as other applications of mask process correction for gaining operational efficiency in both tapeout and mask manufacturing are discussed.
